預(yù)加熱PECVD設(shè)備_1200℃_實驗爐，PECVD集成系統(tǒng)是一套完備的集成控制Plasma增強化學氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)，在傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)的前端加入RF射頻感應(yīng)裝置將反應(yīng)氣體電離，形成等離子體，利用等離子體的活性來促進反應(yīng)，降低CVD反應(yīng)溫度，沉積速度快，成膜質(zhì)量好。
       PECVD集成系統(tǒng)配有 PLC 微電腦操作系統(tǒng)，控制部分采用了中環(huán)自主研發(fā)的實驗電爐 A10智能集成控制系統(tǒng)，使得操作更加簡便，可實現(xiàn)沉積生長過程集成智能化。適用于 Plasma增強化學氣相沉積工藝。

PECVD集成系統(tǒng)-產(chǎn)品用途:  

PECVD系統(tǒng)可以用于二維材料制備、石墨烯生長、TMDs材料制備、二硫化鉬、薄膜材料制備、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金剛石薄膜、金屬涂層、碳納米管生長、Zn0納米結(jié)構(gòu)生長、新晶體材料、陶瓷纖維、陶瓷電容氣氛燒結(jié)、非晶態(tài)合金、粉體材料氣氛燒結(jié)、等離子表面改性等離子聚合、等離子清洗等

預(yù)加熱雙溫區(qū)PECVD集成系統(tǒng)配置:  
1.PLC集成控制系統(tǒng)
2.1200°C開啟式雙溫區(qū)真空氣氛管式爐
3.預(yù)加熱開啟式管式爐
4.等離子射頻電源
5.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
6.真空控制系統(tǒng)(可選配中真空/高真空)
7.電動滑動系統(tǒng)

產(chǎn)品特點：

生長溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，適用范圍廣，設(shè)備簡單。

產(chǎn)品參數(shù)：預(yù)加熱PECVD設(shè)備_1200℃_實驗爐