網站首頁 產品系列 CVD設備/PECVD系統(tǒng) CVD設備 滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區(qū)
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更新時間：2026-09-14
廠商性質：生產廠家
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多功能模塊化CVD系統(tǒng)｜二維材料、薄膜、晶體材料制備一站式解決方案
CVD系統(tǒng)-產品介紹:滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區(qū)
此款設備是一套化學氣相沉積生長系統(tǒng)，可包含加熱系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)、滑動裝置、質量氣體流量控制、真空控制系統(tǒng)、預加熱系統(tǒng)等模塊，根據工藝要求多模塊自由組合，并可擴展升級配置，節(jié)約成本。適用于多種經典化學氣相沉積工藝。
CVD系統(tǒng)-產品用途:
可用于二維材料制備、石墨烯生長、TMDs 材料制備、二硫化鉬制備、薄膜材料制備、氧化物薄膜、碳化物薄膜、氮化物薄膜、金剛石薄膜、金屬涂層、碳納米管生長、ZnO 納米結構生長、新晶體材料、陶瓷纖維制備； 陶瓷電容氣氛燒結、粉體材料氣氛燒結、非晶態(tài)合金生長。
產品組成：
此款CVD系統(tǒng)配置：
1.1200度開啟式真空管式爐(可選配滑動/雙管)
2.手動、電動滑動系統(tǒng)
3.多路質量流量控制系統(tǒng)
4.真空控制系統(tǒng)(可選配中真空或高真空)
滑動式CVD設備_1200℃_單/雙/多溫區(qū) 產品參數：
系統(tǒng)名稱 | 1200℃(含滑動式)單/多溫區(qū)CVD系統(tǒng) | |||
系統(tǒng)型號 | CVD-12I-3Z/G | CVD-12IIH-3Z/G | CVD-Y12IIH-3Z/G | CVD-12IIIH-3Z/G |
最高溫度 | 1200℃ | |||
加熱區(qū)長度 | 420mm | 655mm | ||
恒溫區(qū)長度 | 200mm | 500mm | ||
溫區(qū) | 單溫區(qū) | 雙溫區(qū) | 三溫區(qū) | |
石英管管徑 | ①50/Φ60/Φ80/Φ100mm | |||
額定功率 | 3Kw | 3.2Kw | 4.8Kw | |
額定電壓 | 220V | 380V | ||
滑動距離 | 380mm(≥500) | 500mm(≥800) | ||
滑動方式 | 手動滑動/自動滑動(由溫度控制器自動控制移動。當程序完成，爐子按設定的速度滑動) | |||
溫度控制 | 國產程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫 | |||
控制精度 | ±1℃ | |||
長期工作溫度 | ≤1100℃ | |||
氣路法蘭 | 采用多環(huán)密封技術卡箍快速連接 | |||
排風冷卻裝置 | 先進的空氣隔熱技術，結合熱感應技術，當爐體表面溫升到50℃時，排溫風扇將自動啟動，使爐體表面快速降溫 | |||
氣體控制方式 | 質量流量計(按鍵式) | |||
氣路數量 | 1～3路(可根據具體需要選配氣路數量 ) | |||
流量范圍 | 0-500sccm(標準毫升/分，可選配)氮氣標定 | |||
精度 | ±1%F.S | |||
響應時間 | 1sec | |||
工作溫度(流量計) | 5-45℃ | |||
工作壓力 | 進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力) | |||
進氣方式 | 采用防倒流設計 | |||
規(guī)格 | 中真空 | 高真空 | ||
系統(tǒng)真空范圍 | 10-100Pa | 10-1x10-3Pa | ||
真空泵 | 雙極機械泵理論極限真空度3x10-1Pa,抽泣速率4L/S (選配：其它抽速真空泵),出氣口配有油霧過濾器， 額定電壓220V,功率0.55Kw | 真空分子泵理論極限真空度 5x10-6Pa,抽泣速率1200L/S(選配： 其它抽速真空泵),出氣口配有油霧 過濾器，額定電壓220V,功率2Kw | 真空分子泵理論極限真空度 5x10-6Pa,抽泣速率1600L/S(選配： 其它抽速真空泵),出氣口配有油霧 過濾器，額定電壓220V,功率2Kw | |
爐體外形尺寸 | 360×580×555mm | 360×815×555mm | ||
系統(tǒng)外形尺寸 | 530×1440×750mm | 530×1740×750mm | 530×1740×750mm | |
系統(tǒng)總重量 | 230Kg | 290Kg | 330Kg | |
